ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ072N06NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC060N06NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISZ072N06NM6ATMA1 ISC060N06NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 60V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 57 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 12.7 A —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Güç Tüketimi (TC=25°C) 50 W —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Paket PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) PG-TDSON-8 (TDSON-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C ( Tj max 175C ) -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 (60V generation)
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Series — OptiMOS 6
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 15.2 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 62 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 50 W
Configuration — Single N-Channel
Gate Drive — Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on))
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ/nC]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin