ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ072N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC060N06NM6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC060N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| پاور ڈسپیشن (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| پیکیج | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (60V generation) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 15.2 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] |