K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4A8G165WC-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4A8G165WC-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCPB | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| संगठन | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2133 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | 0C to +95C |
| पैकेज | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | C-die (1Y nm class) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (synchronous, double data rate) | DDR4 (16-bit data bus) |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Lisleapex listing) | Compliant |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |