K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB So sánh

So sánh chi tiết song song của K4A8G165WB-BCPB bằng Samsung Electronics và K4A8G165WC-BCPB bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WC-BCPB
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
Tổ chức 512M x 16 —
Tốc độ dữ liệu 2133 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Nhiệt độ hoạt động 0C to +85C 0C to +95C
Hộp 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die C-die (1Y nm class)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện DDR4 (synchronous, double data rate) DDR4 (16-bit data bus)
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
Trạng thái RoHS Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
Tính năng — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá