K4A8G165WB-BCPB vs K4A8G165WC-BCPB موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A8G165WB-BCPB بذریعہ Samsung Electronics اور K4A8G165WC-BCPB بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WB-BCPB ✓ فعال
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCPB K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB - 8Gb DDR4-2133 SDRAM 96-FBGA | Samsung

K4A8G165WC-BCPB ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K4A8G165WB-BCPB K4A8G165WC-BCPB
برانڈ Samsung Electronics Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (volatile DRAM)
Density 8 Gb —
تنظیم 512M x 16 —
ڈیٹا ریٹ 2133 Mbps DDR4-2133 (2133 Mbps/pin)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت 0C to +85C 0C to +95C
پیکیج 96FBGA (TFBGA) 96-ball FBGA (TFBGA)
Number of Terminals 96 —
Package Shape Rectangular, bottom terminal position —
Die Generation 8Gb B-die C-die (1Y nm class)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
انٹرفیس DDR4 (synchronous, double data rate) DDR4 (16-bit data bus)
Bank Groups DDR4 bank-group architecture —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per Lisleapex listing) Compliant
Refresh [DATA_NEEDED: refresh specification] —
میموری سائز — 8 Gb
Memory Organization — 512M x 16
سپلائی وولٹیج — 1.2 V
Operating Voltage Range — 1.14 V to 1.26 V
خصوصیات — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Termination — On-die termination (ODT), dynamic
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL Level]
Standard — JEDEC DDR4 SDRAM

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں