K4A8G165WB-BCPB vs K4AAG165WA-BCPB तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A8G165WB-BCPB द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WA-BCPB द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCPB - 8Gb DDR4 SDRAM 2133Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WB-BCPB ✓ सक्रियSamsung Electronics
K4AAG165WA-BCPB - 16Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4AAG165WA-BCPB ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A8G165WB-BCPB | K4AAG165WA-BCPB |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | Volatile DRAM (DDR4 SDRAM) |
| Density | 8 Gb | 16 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 1G x 16 |
| डेटा दर | 2133 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature for BCPB grade] |
| पैकेज | 96FBGA (TFBGA) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Shape | Rectangular, bottom terminal position | — |
| Die Generation | 8Gb B-die | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (synchronous, double data rate) | — |
| Bank Groups | DDR4 bank-group architecture | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per Lisleapex listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh specification] | — |
| Technology | — | DDR4 |
| Interface Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Memory Format | — | DRAM |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |
| Power Consumption | — | 25% lower than DDR3 (per Samsung DDR4 family) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4 internal bank groups) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Max Capacity Family | — | Up to 32GB component (Samsung DDR4 family) |