K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63AFR-PBJ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BCK00 द्वारा Samsung Electronics और H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| डेटा दर | 1600 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS लेटेंसी | 11 (at 1600 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |