K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63AFR-PBJ השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BCK00 מאת Samsung Electronics ו H5TC4G63AFR-PBJ מאת SK hynix. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | SK hynix |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Density | 4 Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| קצב נתונים | 1600 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| מתח אספקה | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| מארז | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| טמפרטורת פעולה | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| השהיית CAS | 11 (at 1600 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |