K4B4G1646D-BCK00 vs H5TC4G63AFR-PBJ موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics اور H5TC4G63AFR-PBJ بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BCK00 | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 256M x 16 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1600 Mbps/pin | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS لیٹنسی | 11 (at 1600 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ہیلوجن فری | Yes | — |
| میموری سائز | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| RoHS اسٹیٹس | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |