K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646D-BHMA द्वारा Samsung Electronics और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| पैकेज | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| CAS लेटेंसी | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| पिन की संख्या | — | 96 |