K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646D-BHMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Rate ng Data | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Packhaging | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| Temperature na Operasyon | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| Latensya ng CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Wala sa Halogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Bilang ng Pins | — | 96 |