K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BHMA tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Veri Hızı | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Paket | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| İşletim Sıcaklığı | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| CAS Gecikme | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Pin Sayısı | — | 96 |