K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646D-BHMA توسط Samsung Electronics و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| قیمت واحد (USD) | — | $14.32 |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| سازمان | 256M x 16 | 256M x 16 |
| نرخ داده | 1866 Mbps | 1866 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| دمای کاری | -40°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C |
| تأخیر CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| تعداد پین‌ها | — | 96 |