K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4RHE165VB-BCWM द्वारा Samsung Electronics और K4RAH165VB-BCQK द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung
K4RAH165VB-BCQK ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4RHE165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| संगठन | 1G x 16 | — |
| डेटा दर | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.1 V | — |
| पैकेज | 106 FBGA | 106-ball FBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | Parallel, DDR5 | — |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| मेमोरी आकार | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| विशेषताएँ | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| लाइफसाइकिल स्थिति | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |