K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | — |
| التنظيم | 1G x 16 | — |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 4800 Mbps |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| العلبة | 106 FBGA | 106-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel, DDR5 | — |
| Generation | DDR5 | — |
| Application Segment | DDR5 memory modules and HPC systems | — |
| Speed Grade Suffix | BCWM | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| tCK (Clock Period) | [DATA_NEEDED: clock period] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.1 V |
| Error Correction | — | On-die ECC |
| الميزات | — | Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |
| Unit Price | — | [DATA_NEEDED: unit price] |