K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55T तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K6X0808C1D-BF70T द्वारा Samsung Electronics और K6X0808C1D-GF55T द्वारा Samsung Electro-Mechanics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF55T |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| श्रेणी | DRAM | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| मेमोरी आकार | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | Full CMOS |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit |
| डेटा बस चौड़ाई | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| संगठन | — | 32K x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5.0 V |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | — | Low data retention voltage supported (per datasheet) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T suffix) |