K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF55T Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K6X0808C1D-BF70T tarafından Samsung Electronics ve K6X0808C1D-GF55T tarafından Samsung Electro-MechanicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-GF55T
Marka Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Kategori DRAM DRAM
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Bellek Boyutu 256 Kbit 256 Kbit
Memory Organization 32K x 8 —
Memory Interface Parallel —
Access Time 70 ns 55 ns
Write Cycle Time - Word, Page 70 ns —
Voltage - Supply 4.5 V to 5.5 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +85C (TA) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Paket 28-SOP 28-SOP (450 mil)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Process Technology CMOS Full CMOS
Address Bus Width 15 bit (A0-A14) 15 bit
Veri Bus Genişliği 8 bit (I/O0-I/O7) 8 bit
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
I/O Compatibility TTL compatible —
Refresh Requirement None (fully static operation) —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Organizasyon — 32K x 8
Besleme Gerilimi — 5.0 V
Arayüz — Parallel
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current — [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage — Low data retention voltage supported (per datasheet)
Packaging — Tape & Reel (T suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin