K9F2808Q0B vs K9LCG08U1M तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K9F2808Q0B द्वारा Samsung Electronics और K9LCG08U1M द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ जीवन की समाप्ति
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K9F2808Q0B | K9LCG08U1M |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | उत्पादन बंद | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SLC NAND Flash (parallel) | NAND Flash, MLC |
| Density | 128 Mbit | 64 Gbit (8 GB) |
| संगठन | 16M x 8 | x8 I/O |
| Operating Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V | — |
| Read Access Speed | 50 ns | — |
| Cell Type | SLC (1 bit/cell) | MLC (2 bits per cell) |
| इंटरफ़ेस | 8-bit multiplexed address/data | Asynchronous multiplexed NAND I/O |
| पैकेज | 63-pin TBGA | BGA |
| Temperature Grade | C (commercial), I (industrial) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Typical Read Current (Icc1) | [DATA_NEEDED: Icc1] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS स्थिति | unknown | unknown |
| Production Status | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ordering Codes | — | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB |