K9F2808Q0B vs K9LCG08U1M Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K9F2808Q0B tarafından Samsung Electronics ve K9LCG08U1M tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung
K9F2808Q0B ✗ Son Kullanım Zamanı
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K9F2808Q0B | K9LCG08U1M |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Flash |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Hayat Dönemi Sonu | Aktif |
| Bellek Türü | SLC NAND Flash (parallel) | NAND Flash, MLC |
| Density | 128 Mbit | 64 Gbit (8 GB) |
| Organizasyon | 16M x 8 | x8 I/O |
| Operating Voltage (VCC) | 1.7 V to 1.95 V | — |
| Read Access Speed | 50 ns | — |
| Cell Type | SLC (1 bit/cell) | MLC (2 bits per cell) |
| Arayüz | 8-bit multiplexed address/data | Asynchronous multiplexed NAND I/O |
| Paket | 63-pin TBGA | BGA |
| Temperature Grade | C (commercial), I (industrial) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Typical Read Current (Icc1) | [DATA_NEEDED: Icc1] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| RoHS Durumu | unknown | unknown |
| Production Status | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete | — |
| Besleme Gerilimi | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Read Time | — | [DATA_NEEDED: page read time] |
| Page Program Time | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: block erase time] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| İşletim Sıcaklığı | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Ordering Codes | — | K9LCG08U1M-LCB0 / K9LCG08U1M-LCB00 / K9LCG08U1M-LCB |