LPC55S28JBD64E vs LPC5526JBD64E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना LPC55S28JBD64E द्वारा NXP Semiconductors और LPC5526JBD64E द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | LPC55S28JBD64E | LPC5526JBD64E |
|---|---|---|
| ब्रांड | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| श्रेणी | Microcontrollers | Microcontrollers |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Core Processor | Arm Cortex-M33 | ARM Cortex-M33 (r0p3) |
| Core Size | 32-Bit | 32-Bit |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 150 MHz | 150 MHz |
| Flash Memory Size | 512 KB (512K x 8) | — |
| SRAM Size | 128 KB | — |
| Series | LPC55S2x | — |
| पैकेज | 64-HTQFP (10x10 mm) | 64-HTQFP (10x10 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Security Features | TrustZone, PUF-based security (S-series) | — |
| Memory Protection Unit | Yes (MPU) | Yes (MPU) |
| Interrupt Controller | NVIC with NMI input (selectable sources) | NVIC (built-in) |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| सप्लाई वोल्टेज | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | 3 | 3 |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | 260 C |
| Maximum Time at Peak Reflow | 30 s | — |
| Terminal Finish | Tin (JESD-609 code e3) | Tin (JESD-609 code e3) |
| RoHS स्थिति | Compliant (e3 lead-free finish) | Compliant |
| Process Technology | 40 nm NVM | 40 nm NVM |
| Flash Memory | — | 256KB (256K x 8) |
| RAM Size | — | [DATA_NEEDED: SRAM size] |
| Security Feature | — | ARM TrustZone |
| NMI Input | — | Yes, with selection of sources |
| Max Time At Peak Reflow | — | 30 s |
| लाइफसाइकिल स्थिति | — | Active |