M29F160FB55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete
Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16777 kbits (16 Mbit) 16777 kbits (16 Mbit)
संगठन 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block —
ऑपरेटिंग तापमान -40 to +125 C -40 C to +125 C
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Package Type 48-TSOP —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Termination Finish Lead-free (F2 suffix) —
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
Block Protection Hardware boot block protection —
RoHS स्थिति Compliant (lead-free) ROHS3 Compliant
Speed Grade (from MPN) 55 (55 ns) —
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
पैकेज — 48-TSOP I
Packaging — Tray
Lead Free Status — Lead Free

डेटाशीट और संसाधन

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