M29F160FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F800FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F160FT55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Flash | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) | NOR Flash, Parallel |
| Density | 16 Mbit (16777 kbits) | — |
| संगठन | 1M x 16 / 2M x 8 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (operating 4.5 V) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Synchronous / Asynchronous | Asynchronous | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| पैकेज | 48-Pin TSOP | 48-pin TSOP |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | Tape & Reel (T/R) |
| Program / Erase | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| मेमोरी आकार | — | 8 Mbit |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 5 V (single supply) |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Programming Voltage | — | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |