M29F160FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F160FT55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F800FT55N3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F160FT55N3F2 M29F800FT55N3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Flash Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
ארגון 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
ממשק Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מארז 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
רמת MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
גודל זיכרון — 8 Mbit
מתח אספקה — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot block (T)
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר