M29F160FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29F160FT55N3F2 توسط Micron Technology و M29F800FT55N3F2 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ فعال
Micron Technology
M29F800FT55N3F2 M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 - 8Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3F2 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29F160FT55N3F2 M29F800FT55N3F2
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Flash Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash, Parallel
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
سازمان 1M x 16 / 2M x 8 1M x 8 bit / 512K x 16 bit
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
رابط Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
دمای کاری -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی 48-Pin TSOP 48-pin TSOP
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tape & Reel (T/R)
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
سطح MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
اندازه حافظه — 8 Mbit
ولتاژ تغذیه — 5 V (single supply)
Boot Block Architecture — Top boot block (T)
Programming Voltage — 5.0 V VCC (no 12 V VPP required)
Erase Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: ICC read]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت