M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F200FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ जीवन की समाप्ति

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय उत्पादन बंद
मेमोरी प्रकार Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
संगठन 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Bottom Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
इंटरफ़ेस Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध