M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F200FB55N3F2 מאת Micron Technology ו M29F200FB55N3E2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ סוף ייצור

השוואת מפרטים

פרמטר M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3E2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל סוף חיים
סוג זיכרון Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
ארגון 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Bottom Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
מארז 48-TSOP I —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
ממשק Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
סטטוס RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר