M29F200FB55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F200FB55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F200FB55N3E2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Son Kullanım Zamanı

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3E2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Hayat Dönemi Sonu
Bellek Türü Parallel NOR Flash NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organizasyon 256K x 8 bit / 128K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 128 K (x16 mode) 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Boot Block Architecture Bottom Boot Block (FB) Bottom Boot Block
Programming Embedded byte/word program algorithm —
Erase Embedded block erase controller —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Paket 48-TSOP I —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tray
Arayüz Parallel Parallel, 8/16-bit selectable
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin