M29F800FT55M3E2 vs M29F200FT55M3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55M3E2 द्वारा Micron Technology और M29F200FT55M3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F800FT55M3E2 M29F200FT55M3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी EEPROM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash Parallel NOR Flash
मेमोरी आकार 8 Mbit —
संगठन 512K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
इंटरफ़ेस Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
पैकेज 44-SO (SOP) 44-pin SO (TSOP)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 2 Mbit (2097 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

डेटाशीट और संसाधन

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