M29F800FT55M3E2 vs M29F200FT55M3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F800FT55M3E2 tarafından Micron Technology ve M29F200FT55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F800FT55M3E2 M29F200FT55M3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori EEPROM Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash Parallel NOR Flash
Bellek Boyutu 8 Mbit —
Organizasyon 512K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
Arayüz Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Paket 44-SO (SOP) 44-pin SO (TSOP)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 2 Mbit (2097 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin