M29F800FT55M3E2 vs M29F200FT55M3F2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של M29F800FT55M3E2 מאת Micron Technology ו M29F200FT55M3F2 מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ פעיל
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר M29F800FT55M3E2 M29F200FT55M3F2
מותג Micron Technology Micron Technology
קטגוריה EEPROM Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סוג זיכרון NOR Flash Parallel NOR Flash
גודל זיכרון 8 Mbit —
ארגון 512K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
ממשק Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
מתח אספקה 5 V —
טמפרטורת פעולה -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
מארז 44-SO (SOP) 44-pin SO (TSOP)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 2 Mbit (2097 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר