M29F800FT55M3E2 vs M29F200FT55M3F2 比較

詳細並排比較 M29F800FT55M3E2 由 Micron Technology 與 M29F200FT55M3F2 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 啟用中
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M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29F800FT55M3E2 M29F200FT55M3F2
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 EEPROM Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 NOR Flash Parallel NOR Flash
記憶體容量 8 Mbit —
組織 512K x 16 bit 256K x 8 / 128K x 16
介面 Parallel —
Access Time 55 ns 55 ns
供應電壓 5 V —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
封裝 44-SO (SOP) 44-pin SO (TSOP)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 狀態 Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 2 Mbit (2097 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

資料表與資源

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