M29F800FT55N3E2 vs M29W800FB70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F800FT55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ सक्रियMicron Technology
M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F800FT55N3E2 | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | 8 Mbit (8388608 bits) |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| संगठन | — | 512K x 16 / 1M x 8 |
| डेटा बस चौड़ाई | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| पिन काउंट | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |