M29F800FT55N3E2 vs M29W800FB70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29F800FT55N3E2 بذریعہ Micron Technology اور M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29F800FT55N3E2 M29W800FB70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits 8 Mbit (8388608 bits)
Access Time 55 ns 70 ns
سپلائی وولٹیج 5 V —
انٹرفیس Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
پیکیج 48-TSOP I 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
RoHS اسٹیٹس Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) RoHS compliant (plastic TSOP-48)
تنظیم — 512K x 16 / 1M x 8
ڈیٹا بس چوڑائی — x8/x16 (BYTE# selectable)
Supply Voltage (VCC) — up to 3.6 V for program, erase and read
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Memory Blocks — 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration)
پن کی تعداد — 48
Product Longevity Program — No
FBGA Code — N/A
Chipset Validation — N/A

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں