M29W800FB70N3E vs M29W800FT70N3E तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W800FT70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W800FB70N3E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29W800FB70N3E | M29W800FT70N3E |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Flash |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 8 Mbit (8388608 bits) | 8 Mbit |
| संगठन | 512K x 16 / 1M x 8 | 1M x 8 / 512K x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | x8/x16 (BYTE# selectable) | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | up to 3.6 V for program, erase and read | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Memory Blocks | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel, address/data bus |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) |
| पिन काउंट | 48 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | RoHS compliant (plastic TSOP-48) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| Programming / Erase Supply | — | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) |
| Boot Block Location | — | Top boot block (FT variant) |
| Bus Width | — | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Block Organization | — | [DATA_NEEDED: block size/organization] |