M29W800FB70N3E vs M29W800FT70N3E موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از M29W800FB70N3E بذریعہ Micron Technology اور M29W800FT70N3E بذریعہ Micron Technology. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر M29W800FB70N3E M29W800FT70N3E
برانڈ Micron Technology Micron Technology
زمرہ Memory ICs Flash
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit (8388608 bits) 8 Mbit
تنظیم 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
ڈیٹا بس چوڑائی x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
انٹرفیس Parallel Parallel, address/data bus
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +125C -40C to +125C
پیکیج 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
پن کی تعداد 48 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں