M29W800FB70N3E vs M29W800FT70N3E مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M29W800FB70N3E توسط Micron Technology و M29W800FT70N3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M29W800FB70N3E M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E - 8Mbit 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70N3E ✓ فعال
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M29W800FB70N3E M29W800FT70N3E
برند Micron Technology Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Flash
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه NOR Flash NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit (8388608 bits) 8 Mbit
سازمان 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
عرض گذرگاه داده x8/x16 (BYTE# selectable) —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) up to 3.6 V for program, erase and read 2.7 V to 3.6 V
Programming Time 10 us per byte/word (typical) —
Memory Blocks 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) —
رابط Parallel Parallel, address/data bus
دمای کاری -40C to +125C -40C to +125C
بسته‌بندی 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
تعداد پایه 48 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
وضعیت RoHS RoHS compliant (plastic TSOP-48) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code N/A —
Chipset Validation N/A —
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت