MD7P19130HSR3 vs MD7P19130HSR5 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MD7P19130HSR3 द्वारा NXP Semiconductors और MD7P19130HSR5 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 - 40W, 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MD7P19130HSR3 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MD7P19130HSR5 MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 - 40W RF Power LDMOS, 1.93-1.99 GHz | NXP

MD7P19130HSR5 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MD7P19130HSR3 MD7P19130HSR5
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार LDMOS (Dual), Lateral N-Channel RF Power MOSFET LDMOS (Dual), N-Channel
Technology NXP HV7 LDMOS RF Power LDMOS
Drain-Source Voltage (VDS) Rated 65 V —
Operating Drain Voltage (VDD) 28 V (typical) —
Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (Pout) 40 W average (W-CDMA, single-carrier) 40 W (minimum, CW)
Power Gain 20 dB typical at 1987.5 MHz —
Drain Efficiency 30% typical at 40 W, 1987.5 MHz —
Quiescent Drain Current (IDQ) 1250 mA —
ACPR (5 MHz offset, 3.84 MHz channel) -36 dBc typical —
Input Signal PAR 7.5 dB @ 0.01% probability on CCDF —
Device Output Signal PAR 6 dB @ 0.01% probability on CCDF —
पैकेज / केस NI-780S-4L (CASE 465M-01, STYLE 1), ceramic flanged NI-780HS-4L (NI780HS-4 ceramic, flange mount)
माउंटिंग प्रकार Chassis-mount (bolt-down) with ceramic lid Chassis / Flange Mount (through-hole flange)
Operating Mode Single-carrier W-CDMA, Class AB —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Number — MD7P19130HSR5
Drain-Source Voltage (VDS) — 28 V (typical operating), 65 V (rated)
Drain Current (Continuous) — 1.25 A
Power Gain (Gp) — 20 dB (typical at 1.99 GHz)
Operating Frequency — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Frequency Band — DCS1800 / PCS1900 / UMTS / LTE Band 1/2/3
Weight — 6.47 g
Test Conditions — VDS = 28 V, IDQ set per datasheet, f = 1.99 GHz, CW

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