MRF6S19200HR5 vs MRFE6S9160HR3 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MRF6S19200HR5 द्वारा NXP Semiconductors और MRFE6S9160HR3 द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MRF6S19200HR5 MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 - 56W RF Power LDMOS 1.93-1.99GHz | NXP

MRF6S19200HR5 ✓ सक्रिय
NXP Semiconductors
MRFE6S9160HR3 MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 - 35W, 880MHz RF Power MOSFET | NXP

MRFE6S9160HR3 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MRF6S19200HR5 MRFE6S9160HR3
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार LDMOS N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Technology RF Power MOSFET HV6E lateral MOSFET (LDMOS-like)
Drain-Source Voltage (Vds) Max 66 V —
Test Voltage (Vds) 28 V —
Test Current (Ids) 1.6 A —
Frequency Range 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Power Gain (Typ) 17.9 dB —
Output Power (Pout) 56 W (CW) —
पैकेज NI-780H-2L (ceramic flange) —
माउंटिंग प्रकार Flange / Screw Mount Chassis / Flange mount (through-hole RF leads)
Operating Mode Class AB, Class C —
Application CDMA base station, multicarrier amplifiers —
Input Matching Internal (broadband) —
Lead Free Status Yes —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Manufacturer — NXP Semiconductors
Drain-Source Voltage (V DSS) — 70 V (max)
Drain Current (continuous) — [DATA_NEEDED: typical drain current at TC=25C]
Operating Frequency Range — 865 MHz to 960 MHz
Test Frequency — 880 MHz
Drain Supply Voltage (V DD) — 28 V (typical)
Output Power (Average) — 35 W (single-carrier N-CDMA, 880 MHz)
Output Power (PEP) — [DATA_NEEDED: PEP at specified conditions]
Power Gain (G ps / G p) — 21 dB (typical at 880 MHz)
Drain Efficiency — 32.4% (typical, N-CDMA, 880 MHz)
पैकेज / केस — NI-780H-2L (ceramic/metal air-cavity flange-mount)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40C to +150C (junction)
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature]
Thermal Resistance (R thJC) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction-to-case]
Input Match — Internally matched input (broadband)
Lead-Free — Yes
MSL स्तर — Not applicable (non-SMD air-cavity package)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध