MT41K256M16HA-15EM:E vs H5TC4G63MFR-PBA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16HA-15EM:E द्वारा Micron Technology और H5TC4G63MFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16HA-15EM:E | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V (1.5V compatible) | — |
| डेटा दर | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| CAS लेटेंसी | 15 | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |