MT41K256M16HA-15EM:E vs H5TC4G63MFR-PBA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16HA-15EM:E بذریعہ Micron Technology اور H5TC4G63MFR-PBA بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63MFR-PBA H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63MFR-PBA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MT41K256M16HA-15EM:E H5TC4G63MFR-PBA
برانڈ Micron Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35 V (1.5V compatible) —
ڈیٹا ریٹ 1333 Mbps (DDR3L-1333) 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS لیٹنسی 15 —
پیکیج 96-ball FBGA (9x14mm) 96-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
پنز کی تعداد 96 —
Access Time 13.75 ns —
Clock Frequency 800 MHz —
انٹرفیس Parallel —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V (+0.100V/-0.067V)
Number of Banks — 8
Burst Length — BL8, BL4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — Programmable
CAS Write Latency (CWL) — Programmable
Additive Latency — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Temperature-Compensated Self-Refresh — Yes
Process Technology — 30nm-class
RoHS Compliant — Yes (Lead-Free & Halogen-Free)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں