MT41K256M16LY-107 vs MT41K256M16TW-107 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16LY-107 द्वारा Micron Technology और MT41K256M16TW-107 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16LY-107 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | 16 bit |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| CAS लेटेंसी | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V / 1.5V | 1.35 V |
| पैकेज | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| डेटा दर | 1866 MT/s | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| पिन की संख्या | 96 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| संगठन | — | 256M x 16 |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |