NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil NT5CC256M16CN-FLNA dari Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum NT5CC256M16CN-FLNA K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14,32
Tipe Memori DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Laju Data 1866 Mbps (max) 1866 Mbps/pin
Latensi CAS 13 (at 1866 Mbps) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
Number of Banks 8 —
Paket 96-ball FBGA FBGA-96
Rentang Suhu Kerja 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive —
Storage Temperature -55C to +100C —
Refresh Auto-refresh, self-refresh, TCSR —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Tegangan Pemuat — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
Suhu Kerja — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Tipe Mounting — Surface Mount
Jumlah Pin — 96

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon