NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5CC256M16CN-FLNA توسط Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5CC256M16CN-FLNA NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CN-FLNA ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5CC256M16CN-FLNA K4B4G1646E-BYMA
برند Nanya Technology Samsung Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $14.32
نوع حافظه DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
سازمان 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
نرخ داده 1866 Mbps (max) 1866 Mbps/pin
تأخیر CAS 13 (at 1866 Mbps) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
Number of Banks 8 —
بسته‌بندی 96-ball FBGA FBGA-96
محدوده دمای کاری 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive —
Storage Temperature -55C to +100C —
Refresh Auto-refresh, self-refresh, TCSR —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
ولتاژ تغذیه — 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Clock Frequency — 933 MHz
دمای کاری — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
نوع نصب — Surface Mount
تعداد پین‌ها — 96

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت