NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16CN-FLNA tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | NT5CC256M16CN-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Marka | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $14,32 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps/pin |
| CAS Gecikme | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| Paket | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive | — |
| Storage Temperature | -55C to +100C | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Pin Sayısı | — | 96 |