NT5CC256M16CN-FLNA vs K4B4G1646E-BYMA השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16CN-FLNA מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5CC256M16CN-FLNA | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $14.32 |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (max) | 1866 Mbps/pin |
| השהיית CAS | 13 (at 1866 Mbps) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Number of Banks | 8 | — |
| מארז | 96-ball FBGA | FBGA-96 |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0C to +95C (TC) commercial, -40C to +95C industrial, -40C to +105C automotive | — |
| Storage Temperature | -55C to +100C | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh, TCSR | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| מתח אספקה | — | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| מספר פינים | — | 96 |