IPP100N12S305AKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 比較

詳細な並列比較: IPP100N12S305AKSA1 メーカー: Infineon および IPP045N10N3GXKSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Infineon
IPP100N12S305AKSA1 IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 - 120V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

IPP100N12S305AKSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPP100N12S305AKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.05 $2.20
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
パルスドレイン電流 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
動作接合温度 -55 °C to +175 °C —
パッケージ TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
実装タイプ Through Hole Through Hole
ピン数 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
動作温度範囲 — -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
RoHS ステータス — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
MSLレベル — N/A (through-hole package)

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼