IPP100N12S305AKSA1 vs IPP045N10N3GXKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP100N12S305AKSA1 제조: Infineon 및 IPP045N10N3GXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP100N12S305AKSA1 IPP045N10N3GXKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.05 $2.20
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS trench OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
펄스 드레인 전류 [DATA_NEEDED: pulsed ID value] —
Maximum Power Dissipation (Ptot) at Tc 300 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Avalanche Energy, Single Pulse [DATA_NEEDED: EAS] —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C —
패키지 TO-220 (PG-TO220-3-1) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
실장 유형 Through Hole Through Hole
핀 수 3 —
MSL Moisture Sensitivity Level 1 (260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Tested 100% tested —
RoHS Compliance Compliant (Green product) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPP045N10N3GXKSA1
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 100 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C — 100 A
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C — [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C]
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) — 137 A
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V — 4.5 mΩ
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — 3.5 V (typical, per LCSC listing)
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C — 214 W
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit)
RoHS 상태 — Compliant (per LCSC datasheet excerpt)
Lead-Free — Yes (Infineon G/GX part suffix)
MSL 레벨 — N/A (through-hole package)

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