IRF3710ZPBF vs IRF540ZPBF 比較

詳細な並列比較: IRF3710ZPBF メーカー: Infineon および IRF540ZPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF3710ZPBF IRF540ZPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.88 $0.62
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) —
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
パッケージ TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
実装タイプ Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
RoHS ステータス Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
動作接合温度範囲 — -55 C to +175 C
ピン数 — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

データシート&リソース

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