IRF3710ZPBF vs IRF540ZPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF3710ZPBF bằng Infineon và IRF540ZPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF - 100V 59A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3710ZPBF - 100V 59A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF3710ZPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF540ZPBF IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF - 100V 36A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRF540ZPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF3710ZPBF IRF540ZPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) —
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Khoảng nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá