IRF3710ZPBF vs IRF540ZPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3710ZPBF توسط Infineon و IRF540ZPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3710ZPBF IRF540ZPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (Advanced Process) HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS)
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 59 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 160 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 18 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) 82 nC (typical) —
Maximum Junction Operating Temperature 175 C —
Gate Drive Voltage (Optimized) 10 V —
بسته‌بندی TO-220AB (through-hole, 3 pins) TO-220AB (through-hole, 3-lead)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Pin Configuration G-D-S (Gate-Drain-Source, standard TO-220) —
Qualification Standard JEDEC, Normal Level —
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF540ZPBF
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C — 36 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V — 26.5 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 42 nC
Power Dissipation (P_D) at T_C=25C — 92 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
محدوده دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
تعداد پایه — 3 (Gate, Drain, Source)
Automotive Qualified — Yes (per datasheet description)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت